| 詳細情報 | |||
| ボックス: | SS545L | ターミナル: | めっきされるはんだMIL-STD-750ごとにsolderable | 
|---|---|---|---|
| 極性: | 印を付けられる | 土台位置: | 任意の | 
| ハイライト: | ショットキバリア ダイオード,ショットキー高い現在のダイオード | ||
製品の説明
一時的な電圧サプレッサーのダイオードSMBFシリーズ ショットキー ダイオードSS545L 2 Pin SMDのダイオード
表面の台紙のショットキー障壁の整流器
逆電圧- 45V
前方流れ- 5.0A
特徴
金属のケイ素の接続点、多数キャリアの伝導
表面のため取付けられた適用
低い電力の損失、高性能
高い前方サージ電流の機能
低電圧の使用のため、高周波インバーター、
自由な回転、および極性の保護適用
機械データ
場合:SMBF
ターミナル:MIL-STD-750の方法2026年ごとのSolderable
およそ重量:57mg/0.002oz
絶対最高評価および電気特徴
周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ、抵抗半波、60Hzまたは誘導負荷は、容量性負荷のために20%年までに、軽減します
| 記号 | SS545L | 単位 | |
| 最高の反復的なピーク逆電圧 | VRRM | 45 | V | 
| 最高RMSの電圧 | VRMS | 32 | V | 
| 最高DCの妨害電圧 | VDC | 45 | V | 
| 最高平均先に調整された流れ | (AV) | 5.0 | A | 
| ピーク前方サージ電流、8.3msは選抜します定格負荷(JEDEC方法)で重ねられる半分の正弦波を | IFSM | 160 | A | 
| 5時Aの最高の即時前方電圧 | VF | 0.45 | V | 
| 最高DCの逆の流れTa=25 C 評価されるDCの逆電圧Ta=100 C | IR | 1 | mA | 
| 50.0 | |||
| 典型的な接続点キャパシタンス(1) | Cj | 800 | pF | 
| 典型的な熱抵抗(2) | RθJA | 40 | ℃/W | 
| 作動の接合部温度の範囲 | Tj | -55から+150 | ℃ | 
| 保管温度の範囲 | TSTG | -55から+150 | ℃ | 
注:1) 4ボルトD.C.の1MHzそして適用された逆電圧で測定されて
2) 0.5 x 0.5"と取付けられるPCB (12.7 x 12.7 mm)銅のパッド区域。

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