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詳細情報 |
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| ボックス: | 大 | 電極: | 3 |
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| 極性: | 印を付けられる | 土台位置: | 任意の |
| ハイライト: | ショットキー高い現在のダイオード,ショットキバリア ダイオード |
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製品の説明
800V CoolMOSTMのセリウム力トランジスターIPA80R1K4CE電界効果トランジスタ
記述
CoolMOS™のセリウムは高圧力のための革命的な技術です
MOSFETs。高圧機能は性能と安全を結合します
そして高性能のレベルで馬小屋の設計を許可する険しさ。
CoolMOS™ 800Vのセリウムは指定パッケージの選択の提供と来ます
減らされたシステム費用および高い発電密度の利点は設計します。
特徴
•高圧技術
•評価される極度なdv/dt
•最も高いピークの流れの機能
•低いゲート充満
•低く有効なキャパシタンス
•Pbなしのめっき、迎合的なRoHSハロゲン自由な型の混合物
•消費者等級の塗布のために修飾される
適用
QRのフライバックの地勢学の改装の適用のためのLEDの照明
| 変数 | 価値 | 単位 |
| VDS @ Tj=25°C | 800 | V |
| 最高RDS （） | 1400 | mΩ |
| Qg.typ | 23 | NC |
| IDの脈拍 | 12 | A |
| Eoss@400V | 1.8 | μJ |
| ボディ ダイオードdi/dt | 400 | A/μs |
| タイプして下さい/オーダー コード | パッケージ | 印が付いていること | 関連リンク |
| IPA80R1K4CE | PG-TO 220 FullPAK | 8R1K4CE | 付録Aを見て下さい |
次元は型のフラッシュ、突起またはゲートのぎざぎざが含まれていません
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