詳細情報 |
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ボックス: | TO220FP | 電極: | 3 |
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極性: | 印を付けられる | 土台位置: | 任意の |
ハイライト: | ショットキー高い現在のダイオード,ショットキバリア ダイオード |
製品の説明
800V CoolMOSª P7力トランジスターIPA80R1K4P7 MOSの管
特徴
•最高にクラスのFOM RDS () * Eoss;減らされたQg、CissおよびCoss
•最高にクラスのDPAK RDS ()
•3Vの最高にクラスのV (GS)のThおよび±0.5Vの最も小さいV (GS)のThの変化
•統合されたツェナー ダイオードESDの保護
•完全修飾acc。産業適用のためのJEDEC
•十分に最大限に活用された有価証券
利点
•最高にクラスの性能
•高い発電密度を可能にしてそして下がります設計し、BOMの節約、
組立費
•平行におよび運転すること容易
•ESDの減少によるよりよい生産の収穫は失敗を関連付けました
•より少ない生産問題および減らされた分野のリターン
•設計の微調整に右の部品を選ぶこと容易
潜在的な適用
LEDの堅く、柔らかい切換えのフライバックの地勢学のために推薦される
つく、低い電力の充電器およびアダプターの音声、補助力
産業力。消費者適用のPFCの段階のためにまた適した
そして太陽。
変数 | 価値 | 単位 |
VDS @ Tj=25°C | 800 | V |
最高RDS () | 1.4 | Ω |
Qg.typ | 10 | NC |
ID | 4 | A |
Eoss@500V | 0.9 | μJ |
VGS (Th)、typ | 3 | V |
ESDのクラス(HBM) | 2 | / |
タイプして下さい/オーダー コード | パッケージ | 印が付いていること | 関連リンク |
IPA80R1K4P7 | PG-TO 220 FullPAK | 80R1K4P7 | 付録Aを見て下さい |
次元は型のフラッシュ、突起またはゲートのぎざぎざが含まれていません。
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