• 800V CoolMOS P7力トランジスターIPA80R1K4P7 MOSの管の電界効果トランジスタ
800V CoolMOS P7力トランジスターIPA80R1K4P7 MOSの管の電界効果トランジスタ

800V CoolMOS P7力トランジスターIPA80R1K4P7 MOSの管の電界効果トランジスタ

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: Julun
証明: CE/UL/VDE/KC/ROHS
モデル番号: PG-TO 220FP

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価格: Negotiable
パッケージの詳細: 標準のカートン
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詳細情報

ボックス: TO220FP 電極: 3
極性: 印を付けられる 土台位置: 任意の
ハイライト:

ショットキー高い現在のダイオード

,

ショットキバリア ダイオード

製品の説明

800V CoolMOSª P7力トランジスターIPA80R1K4P7 MOSの管

特徴
•最高にクラスのFOM RDS () * Eoss;減らされたQg、CissおよびCoss
•最高にクラスのDPAK RDS ()
•3Vの最高にクラスのV (GS)のThおよび±0.5Vの最も小さいV (GS)のThの変化
•統合されたツェナー ダイオードESDの保護
•完全修飾acc。産業適用のためのJEDEC
•十分に最大限に活用された有価証券

利点
•最高にクラスの性能
•高い発電密度を可能にしてそして下がります設計し、BOMの節約、
組立費
•平行におよび運転すること容易
•ESDの減少によるよりよい生産の収穫は失敗を関連付けました
•より少ない生産問題および減らされた分野のリターン
•設計の微調整に右の部品を選ぶこと容易

潜在的な適用
LEDの堅く、柔らかい切換えのフライバックの地勢学のために推薦される
つく、低い電力の充電器およびアダプターの音声、補助力
産業力。消費者適用のPFCの段階のためにまた適した
そして太陽。

主要なパーフォーマンスおよびパッケージ変数

変数 価値 単位
VDS @ Tj=25°C 800 V
最高RDS () 1.4 Ω
Qg.typ 10 NC
ID 4 A
Eoss@500V 0.9 μJ
VGS (Th)、typ 3 V
ESDのクラス(HBM) 2 /

タイプして下さい/オーダー コード パッケージ 印が付いていること 関連リンク
IPA80R1K4P7 PG-TO 220 FullPAK 80R1K4P7 付録Aを見て下さい

800V CoolMOS P7力トランジスターIPA80R1K4P7 MOSの管の電界効果トランジスタ 0

800V CoolMOS P7力トランジスターIPA80R1K4P7 MOSの管の電界効果トランジスタ 1

次元は型のフラッシュ、突起またはゲートのぎざぎざが含まれていません。

FAQ


Q:私は何を壊れたプロダクト形態A-TEAMのヒューズ株式会社を得たらしてもいいですか。
A:まずできるだけ早く私達があなたに新しいものをすぐに送ったが、私達に壊れたプロダクトを送る後.youは私達がそれの支払うキャリッジ充満を心配する必要がない言います私達に喜ばして下さい。
Q;私達は輸入業者または製造業者ですか。
A;私達は製造業者です
Q:私達をなぜ選ばなければならないか
A:良質の保証。競争価格および速い船積み


私に言って下さい:
どんな製品仕様書を必要としますか。引用語句を頼む時。私はあなたの条件としてごとの競争価格を与えます。そして私達に選ぶべきあなたのための多くのタイプがあります。


P.S.:あなたの条件を満たすとプロダクトが見つけることができなければ。私達があなたに私達に私達の専門及び最もよいサービスを提供してもいいように私達に詳細図を送るために歓迎して下さい。

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