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詳細情報 |
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| ボックス: | PG-TO 252-3 | 電極: | 3 |
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| 極性: | 印を付けられる | 土台位置: | 任意の |
| ハイライト: | ショットキー高い現在のダイオード,ショットキバリア ダイオード |
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製品の説明
IPD70R1K4P7Sシリーズ700V CoolMOS P7力トランジスター分野効果MOSの管
特徴
•非常に低いFOM RDSの（） *QgおよびRDSの（） *Eossによる極端に低い損失
•優秀な熱行動
•統合されたESDの保護ダイオード
•低い切換えの損失（Eoss）
•プロダクト確認acc。JEDECの標準
利点
•費用の競争の技術
•低温
•高いESDの険しさ
•より高い転換の頻度で効率の利益を可能にします
•高い発電密度の設計および小さい形式要素を可能にします
潜在的な適用
充電器で使用されるフライバックの地勢学のために例えば推薦される
適用、等をつけるアダプター。
主要なパーフォーマンスおよびパッケージ変数
| 変数 | 価値 | 単位 |
| VDS @ Tj=25°C | 700 | V |
| 最高RDS （） | 1.4 | Ω |
| Qgのtyp | 4.7 | NC |
| IDの脈拍 | 8.2 | A |
| Eoss @ 400V | 0.6 | μJ |
| V （GS） Th、typ | 3 | A |
| ESDのクラス（HBM） | 1C | / |
| タイプして下さい/オーダー コード | パッケージ | 印が付いていること | 関連リンク |
| IPD70R1K4P7S | PG-TO 252-3 | 70S1K4P7 | 付録Aを見て下さい |
FAQ
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